
Qué Es La Memoria FRAM: RAM ferroeléctrica
FRAM, RAM ferroeléctrica, es una forma de memoria de acceso aleatorio que combina el rápido acceso de lectura y escritura de la RAM dinámica, DRAM, mientras que también proporciona una capacidad no volátil.
La RAM ferroeléctrica también se conoce como F-RAM o FeRAM, ya que es capaz de competir con la tecnología Flash en muchas áreas, aunque hay varias ventajas y desventajas en su uso.
Aunque el nombre FRAM o RAM ferroeléctrica parece indicar que existe un elemento de hierro en la memoria, en realidad no es así.
Historia de la RAM ferroeléctrica
El desarrollo del FRAM se remonta a los primeros días de la tecnología de los semiconductores. La idea se propuso por primera vez en 1952, pero pasaron muchos años antes de que la idea comenzara a desarrollarse adecuadamente ya que las tecnologías necesarias para implementarla no existían.
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Algunos trabajos sobre la tecnología se iniciaron en la década de 1980, y luego a principios de los años 90 una parte de la NASA se dedicó a la tecnología de detección de pulsos de radiación UV.
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Sin embargo, alrededor de 1999 se produjeron los primeros dispositivos y desde entonces empresas como Ramtron, Fujitsu, Texas Instruments, Samsung, Matsushita, Infineon y otras han estado utilizando la tecnología.
Uso del FRAM
Actualmente la RAM ferroeléctrica no se utiliza tan ampliamente como muchas de las tecnologías más establecidas, incluyendo DRAM y Flash. Estas tecnologías se han afianzado y su uso está muy extendido.
Dado que los desarrolladores tienden a menudo a confiar en tecnologías confiables que están garantizadas para ofrecer el rendimiento que requieren, a menudo son reacios a utilizar tecnologías como FRAM que no están garantizadas para ofrecer. También cuestiones como la densidad de la memoria que limitan el tamaño de la memoria disponible han hecho que no se utilicen tan ampliamente.
Sin embargo, la tecnología FRAM se está integrando ahora en los chips utilizando la tecnología CMOS para permitir a las MCU tener sus propias memorias FRAM. Esto requiere menos etapas que el número necesario para incorporar la memoria Flash en los chips de las MCU, lo que proporciona algunas reducciones de costos significativas.
Otra ventaja, aparte del carácter no volátil de la memoria, es su bajísimo consumo de energía, que se presta admirablemente a ser utilizada en las MCU, donde el consumo de energía suele ser una cuestión clave.
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Comparación de FRAM con otras tecnologías de memoria
FRAM tiene características que hacen que se preste a muchos usos diferentes. Sin embargo, es útil poder comparar el rendimiento y los parámetros del FRAM con otras tecnologías de memoria establecidas.
COMPARACIÓN DE LAS TECNOLOGÍAS DE LA MEMORIA CON LA TRAMA |
||||
FRAM | SRAM | EEPROM | FLASH | |
No volátil | Si | No | Si | Si |
Write endurance | 1 millón de billones (es decir, 1015) | Ilimitado | ~500 000 | 1 000 000 |
Velocidad de escritura (para 13 kB) | 10ms | <10ms | 2s | |
Potencia activa media (µA/MHz) | 80 | <60 | Up to 10 mA | 260 |
Programación dinámica de bits direccionables | Si | Si | No | No |
Ventajas y desventajas del FRAM
FRAM tiene una serie de ventajas claras en comparación con la memoria Flash que es su competidor más cercano. Éstas deben equilibrarse con lo que puede denominarse sus desventajas cuando se considera su uso en cualquier sistema.
Ventajas del FRAM en comparación con la Flash
- Bajo consumo de energía
- Un número mucho mayor de ciclos de escritura y borrado...
- Más rápido de escribir la actuación
Desventajas del FRAM en comparación con el Flash
- Baja la densidad de almacenamiento
- Más alto costo
- Limitación de la capacidad general
La memoria FRAM es capaz de ofrecer muchas ventajas y puede utilizarse en muchas áreas, pero como en muchos casos, el uso de la memoria FRAM es un equilibrio de una serie de características y parámetros que deben realizarse para cualquier diseño de circuito particular.
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